HBM4 получила улучшения по всем основным аспектам:

• Пропускная способность выросла до 2 ТБ/c — 8 Гбит/c через шину шириной 2048 бит. Это на 60 % больше, чем у предыдущего стандарта HBM3E.

• Количество каналов на стек выросло с 16 до 32.

• Появились более гибкие настройки энергопотребления за счет возможности регулировки напряжения VDDQ (0,7, 0,75, 0,8 и 0,9 В) и VDDC (1,0 и 1,5 В).

• Реализована обратная совместимость с контроллерами HBM3, что снизит стоимость перехода на новое поколение памяти.

• Для снижения рисков сбоев и повышения надежности предусмотрена система Directed Refresh Management (DRFM).

• Емкость памяти выросла до 64 ГБ на стек (16 слоев). Также возможны стеки из 4, 8 и 12 слоев.

Начало массового применения HBM4 в индустрии ожидается в 2026 году. К лету основные производители ускорителей вычислений получат первые образцы новой памяти для тестов.